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【芯资讯】闪存位元出货上升将遇阻,台积电3纳米出货迎高峰
2024-09-11 标签: ICNET  半导体  元件与制造 来源:ICNET网络整合

1.预测:第三季NAND闪存单价上涨,但位元出货降低

据财联社消息,根据TrendForce集邦咨询最新调查,由于服务器终端库存调整接近尾声,加上AI推动了大容量存储产品需求,2024年第二季NAND闪存价格持续上涨,但因为PC和智能手机厂商库存偏高,导致第二季NAND Flash位元出货量季减1%,平均销售单价上涨了15%,总营收达167.96亿美元,较前一季增长了14.2%。

第二季起所有NAND闪存供应商已恢复盈利状态,并计划在第三季扩大产能,以满足AI和服务器的强劲需求,但由于PC和智能手机上半年市场表现不佳,难以推升NAND 闪存出货量。TrendForce集邦咨询预估,第三季NAND闪存全产品平均销售单价将季增5%-10%,位元出货量因旺季不旺而至少季减5%,至于产业营收将大致与前一季持平。



2.台积电3纳米迎出货高峰,预计全年营收增长34%

据快科技消息,近日,台积电的3nm工艺正迎来出货的高潮期,预计全年营收增长将达到34%,远超此前预估的26%-29%。

苹果iPhone 16系列搭载的A18处理器将采用此工艺,预示台积电3nm将迎来新一轮增长。高通和联发科即将发布的5G旗舰芯片也将采用3nm制程,为台积电四季度业绩增添动力。此外,联发科天玑9400和高通骁龙8 Gen4芯片的即将上市,预计将吸引更多手机品牌厂商,为台积电带来更多订单。

在AI芯片领域,AMD的AI芯片MI350系列计划采用台积电3nm制程,成为其重要客户。英伟达计划在2026年的Rubin GPU中采用3nm制程,确保了台积电未来订单的稳定性。这一系列合作表明,台积电在先进制程领域的领先地位不断巩固。



3.信越12英寸氮化镓外延QST衬底出样

据IT之家消息,日本信越化学当地时间本月3日宣布成功开发出用于氮化镓GaN 外延生长的 300mm的QST衬底,并已从近期开始向客户供应相关样品。

信越化学的QST衬底技术源自美国企业Qromis的专利授权,这一复合材料具有同氮化镓更为接近的热膨胀系数,减少了大尺寸衬底上氮化镓外延层出现缺陷的风险,更适宜大厚度、高电压氮化镓器件的制造。

信越化学此前已推出6英寸和8英寸的 QST 衬底,此次12英寸款开发成功有助于提升氮化镓生产规模、降低远期产线持续运行成本,从而推低氮化镓产品的价格、加速氮化镓器件的普及。



4.恩智浦推出片上雷达处理器芯片方案Trimension SR250

恩智浦(NXP)日前宣布推出Trimension SR250,这是业界首款将片上处理能力与短程UWB雷达和安全测距相结合的单芯片解决方案。该产品是业界最广泛的UWB产品组合之一的一部分,涵盖了汽车、移动和物联网应用中的设备。

Trimension SR250结合了工作在6-8.5 GHz的低功耗短程UWB雷达、安全测距和到达角计算,以实现基于UWB映射、人体或物体检测和安全定位的新用例。这使其能够在智能家居中提供便利、高效、安全和隐私功能,还支持工业环境中的安全、安保和生产力应用,能够跟踪工人、货物或资产的位置、门禁、防撞、危险区域检测等。



5.Wolfspeed推出尖端碳化硅模块方案,基于200毫米晶圆

碳化硅大厂Wolfspeed日前宣布推出一款碳化硅模块,旨在通过提高效率、耐用性、可靠性和可扩展性来改造可再生能源、储能和高容量快速充电行业。用于1500V直流母线应用的2300V无基板碳化硅电源模块,是利用Wolfspeed最先进的200mm碳化硅晶片开发和推出。

Wolfspeed今天宣布,将与北美首屈一指的公用事业规模逆变器制造商EPC Power合作。EPC Power将在公用事业级太阳能和储能系统中采用Wolfspeed模块,该系统提供可扩展的高功率转换系统和高性能控制和系统冗余。



6.SK海力士发布高性能固态硬盘PEB110 E1.S,适用于数据中心

SK海力士11日宣布,开发出适用于数据中心的高性能SSD产品PEB110 E1.S(以下简称 PEB110)。公司目前正在与全球数据中心客户共同进行PEB110验证,计划在获得验证后,于明年第二季度开始量产该产品,并向市场供应。

此次新产品采用的第五代PCIe带宽比现有第四代高一倍,PEB110的数据传输速度达到了32GTs。由此,PEB110的性能较上一代产品提升一倍,能效提升了30%以上。SK海力士针对该产品开发出了三种容量版本:2TB、4TB 和 8TB,并支持OCP3 2.5版本,以提高全球数据中心的兼容性。



7.新思科技发布的40G UCIe IP,面向AI算力芯片

新思科技宣布,推出业界首个完整的UCIe IP全面解决方案,每引脚运行速度高达40 Gbps,以满足全球速度领先的人工智能数据中心对计算性能日益增长的要求。新思科技40G UCIe IP将于2024年底推出,适用于多种晶圆代工厂及其工艺。

新思科技40G UCIe IP支持有机基板和高密度先进封装技术,使开发者能够灵活地探索适合其需求的封装选项。这一IP的完整解决方案包括了物理层、控制器和验证IP,是新思科技全面、可扩展的多芯片系统设计方案的关键组成部分,可实现从早期架构探索到制造的快速异构集成。

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