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【芯资讯】博通营收创新高,SK海力士延长供应DDR4内存
2025-09-05 标签: ICNET  财报  人工智能 来源:ICNET网络整合

1.博通营收同比增长22%,人工智能芯片需求强劲

博通最新公布了2025财年第三财季(截至8月3日)财报,营收159.52亿美元,同比增长22%;GAAP净利润41.4亿美元,去年同期亏损18.75亿美元;非GAAP净利润84.04亿美元,去年同期为22.84亿美元。

博通总裁兼首席执行官Hock Tan表示,博通在定制人工智能加速器、网络和VMware方面的持续强劲表现,第三季度收入创下历史新高。第三季度人工智能收入同比增长63%,达到52亿美元。预计第四季度人工智能半导体收入将加速增长至62亿美元,实现连续十一个季度的增长。



2.SK海力士引入存储业界首台High NA EUV设备

SK海力士日前宣布,已将存储器业界首款量产型高数值孔径极紫外光刻机(High NA EUV)引进韩国利川M16工厂,并举行了设备入厂庆祝仪式。

此次引进的设备为荷兰ASML公司推出的TWINSCAN EXE:5200B,它是首款量产型High-NA EUV设备。与现有的EUV设备(NA 0.33)相比,其光学性能(NA 0.55)提升了40%,这一改进使其能够制作出精密度高达1.7倍的电路图案,并将集成度提升2.9倍。

SK海力士计划通过引进该设备,简化现有的EUV工艺,并加快下一代半导体存储器的研发进程,从而确保在产品性能和成本方面的竞争力。此举有望巩固其在高附加值存储器市场中的地位,并进一步夯实技术领导力。



3.SK海力士撤回DDR4停产计划,并将提升无锡产线产能

据IT之家引述韩媒消息,有鉴于几大DRAM内存原厂陆续表示“计划停产DDR4”后DDR4市场价格的飙升,在三星电子之后SK海力士也撤回了今年停产DDR4的决定,延长DDR4生产时间。

不仅如此,SK 海力士还计划在短期内提升DDR4内存的产量以利用这一波市场行情,计划提升制程相对较老旧的中国无锡工厂的DDR4晶圆投片规模。由于老旧DRAM制程生产线的设备已完全折旧、DDR4甚至价格反超DDR5,因此当下增产DDR4不仅有利可图还能进一步推升财报业绩表现。

此前DDR2至DDR3代际切换时即出现了短暂价格倒挂,但这一异常情况在四个月后即告消失。DDR4内存是否会在更长的时间内价格高于DDR5值得关注。



4.第二季度DRAM产业营收增长至316.3亿美元

据IT之家消息,TrendForce集邦咨询今日表示,根据其统计2025年第二季度DRAM内存产业整体营收达316.34亿美元,环比增长17.1%。这一营收数据相较2024年同比增长38.1%。

总体上来看,今年二季度DRAM市场一般型DRAM合约价上涨且出货量显著增长、HBM出货规模扩张、采购动能提升带动ASP平均销售单价提升和原厂库存水位下滑、多数产品合约价止跌翻涨。

几大供应商方面,SK海力士的市场占比从一季度的36.0%扩大至38.7%,“卫冕”了市占第一的宝座;而南亚、力积电等中小型企业受益于三大原厂产能调整,实现了显著的营收环比提升。



5.豪威集团发布ORD110x高压隔离驱动芯片

豪威集团宣布,专门针对IGBT/碳化硅SIC的驱动需求开发了一款高集成度的高压隔离栅极驱动芯片ORD110x,最大支持1500V的电机控制系统,采用电容隔离技术,支持高达10,000V的浪涌隔离电压,共模瞬变抗扰度高于150V/ns,保证整个控制系统在更高电压的应用环境里安全、稳定的运行。

豪威ORD110x符合AEC-Q100认证,具备大于15A的栅极驱动电流能力,支持高达1500V电驱系统工作电压,10KV的最大浪涌隔离电压和8KV的瞬态隔离电压。ORD1100/ORD1101现已支持送样,2026年第一季度正式量产。



6.帝奥微发布自主研发高性能eUSB repeater产品

据科创板日报消息,帝奥微公告称,公司近日推出自主研发的eUSBrepeater(eUSB2中继器)产品,该产品支持主机中继器、设备中继器或双角色中继器功能,实现eUSB2与USB2信号方案间的双向转换。

该产品具有高兼容性、低功耗和宽工作温度范围等特点,适用于物联网及消费电子、汽车电子等领域。帝奥微拥有该产品完全自主知识产权,此次新产品的研发成功进一步提升了公司在高速接口芯片领域的竞争力,并有望在未来消费电子、汽车电子市场中取得积极影响。



7.国芯科技新一代汽车电子BLDC驱动芯片内部测试成功

据科创板日报消息,国芯科技(688262.SH)公告称,公司研发的新一代汽车电子BLDC(无刷直流)电机驱动控制高性能芯片新产品CBC2100B于近日在公司内部测试中获得成功。该芯片基于130nm BCD工艺研发,适用于水泵、油泵、空调风机等汽车电子领域和BLDC电机驱动、电动化设备等工业控制领域。

该产品具有完全自主知识产权,有望为解决我国汽车尤其是新能源汽车产业高端MCU芯片“缺芯”问题做出贡献。目前,公司已将该新产品对相关客户送样,客户对该新产品的开发应用工作已在进行中。但需注意,本次测试目前是公司内部测试成功,尚未完成第三方机构检测测试,后续客户应用中可能存在问题,对公司收入及盈利带来不确定性。



8.中微公司:发布六款半导体设备新产品

据科创板日报消息,中微公司公告称,中微公司近日推出六款半导体设备新产品,包括两款刻蚀设备和四款薄膜沉积设备。

刻蚀设备方面,新一代极高深宽比等离子体刻蚀设备PrimoUD-RIE 和专注于金属刻蚀的PrimoMenova 12寸ICP单腔刻蚀设备,旨在满足客户在极高深宽比刻蚀和金属刻蚀领域的需求。薄膜沉积设备方面,包括三款原子层沉积产品和一款外延产品,如PreformaUniflash 金属栅系列和PRIMIOEpita RP双腔减压外延设备。

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